Peak-Force Tuna和C-AFM測(cè)試之間的區(qū)別？ 

TUNA電流是探針要觸及樣品后的隧穿電流值，反應(yīng)了樣品的導(dǎo)電性，同時(shí)探針不會(huì)對(duì)樣品造成損壞，可以說(shuō)即可以表征樣品本征形貌，也反應(yīng)了樣品的電學(xué)性能。C-AFM是直接接觸樣品，如果樣品不夠硬(比如有機(jī)物)，針尖會(huì)直接劃破樣品，同時(shí)采集電學(xué)信號(hào)。兩種方式，電流大小會(huì)有差異，pktuna模式下，電流會(huì)小一些，相對(duì)比較的話，結(jié)果上是一樣。

導(dǎo)電力顯微鏡一般表征樣品多厚區(qū)域內(nèi)的電流分布？        

跟材料導(dǎo)電性能有關(guān)，導(dǎo)電材料的話幾微米厚的可以，要是半導(dǎo)體材料的話可能需要是納米級(jí)別的，1微米以下。 

什么是PFM掃回字（也叫掃壓電籌/寫(xiě)疇）？ 

這個(gè)比單純的PFM難，要來(lái)回加偏轉(zhuǎn)電壓讓壓電材料發(fā)生極化反轉(zhuǎn)，Z后再掃整體的圖，一共要掃四次。加三次電壓發(fā)生三次反轉(zhuǎn)，Z后再掃一個(gè)大范圍的才能出現(xiàn)這種圖。

AFM接觸模式，掃描范圍越大，對(duì)針損壞越大嗎？

掃描范圍大的情況下考慮表面出現(xiàn)較高起伏顆粒會(huì)對(duì)探針造成磨損，另外掃描范圍很大時(shí)，接近掃描Z大范圍93微米時(shí)會(huì)對(duì)掃描管造成損傷。

什么時(shí)候才會(huì)考慮調(diào)節(jié) I   gain/P gain/setpoint這些參數(shù)? 

setpoint與力有關(guān)，接觸模式和峰值力輕敲模式下setpoint與力成正比關(guān)系，如果探針接觸不到表面出現(xiàn)形貌差異較大時(shí)需要增大setpoint，輕敲模式力與setpoint成拋物線關(guān)系，I gain在每次成像時(shí)都需要調(diào)節(jié)，先慢慢增大至誤差通道出現(xiàn)噪聲震蕩時(shí)回調(diào)I gain值至震蕩消失為Z佳，調(diào)節(jié)好I gain后將P gain設(shè)置為I gain的2倍。 

接觸共振模式測(cè)粘性，振幅只與粘度有關(guān)嗎？quality factor 只與粘性有關(guān)（正相關(guān)）嗎？        

是的，quality factor只與粘性正相關(guān)。

AFM可以像STM那樣看到原子級(jí)尺度（納米）的形貌嗎？

可以，一般在液下測(cè)量原子相。

測(cè)量?jī)上嘀g電勢(shì)差采用KPFM模式還是PFM模式？

采用KPFM模式。

setpoin是加在壓電陶瓷上的直流偏壓?jiǎn)幔?/span>

setpoint只是一個(gè)設(shè)定值，并不是直接加在陶瓷片上的直流偏壓。 

AFM可以在平臺(tái)上加偏壓?jiǎn)幔咳绻芤话隳芗拥蕉啻螅?/span>

可以加在樣品臺(tái)上，Z大可以加到10000 mV。 

黏附力測(cè)試沒(méi)有那么平滑怎么辦？

可能是測(cè)試時(shí)外界噪聲影響，建議測(cè)試時(shí)減小ramp頻率，后期可以通過(guò)軟件將曲線適當(dāng)平滑處理。

樣品盤(pán)找不到鏡頭已經(jīng)降到Z底下了怎么辦        

考慮原子力顯微鏡聚焦沒(méi)調(diào)節(jié)好，一般在倒影相調(diào)好樣品虛像后再切換到sample相繼續(xù)往下聚焦至樣品實(shí)像。 

片層兩邊黑是假象，怎么去掉？

片層兩邊黑是由于起伏對(duì)比度的差異，可以采用plane fit一階拉平的方式，注意框選同一個(gè)面上的點(diǎn)。